美国国家标准技术研究所研究的这种新型测量方法历时四年研究而成，通过测量原子衍射电子产生的间距的算法,算出元件的直径，提供了一种测量嵌入式芯片中的精密线形元件的方法。40纳米至275纳米的植入晶体硅中的元件都可以用此方法进行测量。生产商可以用这种校准方法校准微处理器的电子电路，比如芯片中控制电子流动部分的元器件。

　　研究所参与研究的一位研究员Richard Allen说道，在半导体行业中，必须全力以赴才能保持生存。这项研究就是为了测量线性材料而开展的。

　　这种新型的参考标准测量物被安置在晶体硅片中，经过同国家标准技术研究所2001年生产的样本进行对比发现，这种新的标准测量物提供了更宽的测量范围，能测量的元器件更细小。测量精度也从原来的14纳米提高为小于2纳米。在这种新的标准测量物问世以前，各个生产公司都是通过各自内部的标准进行测量的。

　　3月2日，在加州圣何塞举办的国际社会光学工程会议上，国家标准技术研究所、SEMATECH公司将正式向社会公布此项成果。